Tentang Plasma

07/30/03

English: click here

Dalam bidang ini, saya melakukan penelitian tentang pemrosesan dengan bantuan plasma untuk fabrikasi semikonduktor, khusunya tentang kontaminasi partikekl dan deposisi fillm tipis. Saya melakukan eksperimen tentang visualisasi kelakuan partikel yang terperangkap didalam reaktor plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) menggunakan metoda laser light scattering (LLS) yang digabung dengan video imaging. Hubungan antara kelakuan partikel yang terperangkap dengan kontaminasi partikel pada wafer diungkap. Informasi tentang hal ini sangat penting untuk pengendalian kontaminasi partikel dalam proses plasma. Disamping itu, saya juga melakukan eksperimen tentang proses deposisi film tipis silika didalam plasma menggunakan Tetraethylorthosilicate (TEOS) dan oksigen. Pengaruh pembentukan partikel terhadap properties film diteliti. Beberapa hasil penelitian tersebut telah dipublikasikan pada berbagai Journal ilmiah, mis.: Journal of Applied Physics, Journal of Aerosol Science (lihat Publikasi), dan beberapa sedang disusun untuk dipublikasikan.

Untuk lebih memahami tentang fenomena yang teramati yang diperoleh dari hasil eksperimen, saya melakukan penelitian teoritis tentang gerakan partikel didalam reaktor plasma. Karena kelakuan partikel didalam plasma sangat kompleks, saya mulai dengan analisis tentang kelakuan partikel didalam reaktor tanpa adanya plasma. Hasil penelitian ini telah dipublikasikan didalam Chemical Engineering Science tahun 2002 (lihat Publikasi). Saya juga mempelajari secara teoritis transport dan gerakan partikel didalam reaktor PECVD dengan simulasi.

Anda bisa melihat dihalaman dibawah tentang apa yang saya kerjakan. Saya berharap informasi tersebut bisa membantu anda untuk memahami penelitian saya. Jika anda ingin bertanya atau tertarik dengan penelitian saya, silakan kontak saya.