English: click here
Pendahuluan
Proses dengan bantuan plasma telah banyak digunakan didalam fabrikasi devais semikonduktor meliputi deposisi, etching, dan sputtering. Motivasi untuk menggunakan plasma adalah bahwa substrat bisa dijaga pada suhu rendah, biasanya 300 oC atau lebih rendah. Jadi, teknik ini cocok untuk membuat struktur devais yang melibatkan bahan-bahan yang sensitif terhadap suhu, misalnya: polimer dan film logam bertitik didih rendah. Teknik ini memanfaatkan elektron yang berenergi tinggi yang berada didalam plasma untuk menghasilkan radikal-radikal yang aktif secara kimia dan ion. Akan tetapi, proses plasma dikenal sebagai proses yang kotor karena kecenderungan plasma untuk menghasilkan partikel debu. Partikel debu tersebut bisa merusak devais semikonduktor pada wafer. Problem utamanya adalah pattern defect, yang merupakan penyebab utama penurunan yield. Partikel yang terdeposisi pada wafer bisa juga mengawali reaksi kimia yang tak diinginkan, menyebabkan pelekatan film tidak pas, dan menyebabkan kpengkonsntrasian stress yang mengakibatkan film menjadi retak. Gambar dibawah menunjukkan partikel yang dihasilkan didalam proses plasma selama pembuatan film tipis silika menggunakan TEOS/oksigen dan showerhead yang terkkontaminasi partikel setelah proses.
Partikel terperangkap didalam daerah sheath dekat shower- Showerhead yang terkontaminasi
head dan substrat dalam proses pembuatan film tipis silika partikel setelah proses pembuatan
menggunakan TEOS/Oksigen. film tipis.
This site was last updated 07/30/03