DDE3253 - MicroElektronik - MOSFET

Universiti Teknologi Malaysia

MikroElektronik - MOSFET




OPERASIAN NMOS

- Semasa nilai Vgs adalah sifar
- Semasa Vgs diberikan nilai
- Apabila nilai Vds ditambah
- Apabila nilai Vds semakin besar
SEMASA NILAI Vgs ADALAH SIFAR

+ Pada ketika ini ,nilai voltan pada punca dan salir tidak diberi.
+ Keadaan Vds boleh dibahagikan kepada 2:
   - POSITIF
   - NEGATIF

Positif:

Pincang balikan akan berlaku pada simpang antara salir dan substrat. Keadaan ini akan menyebabkan pengaliran arus tersekat dan arus yang sepatutnya melalui transistor ini, ID mempunyai nilai sifar.

Negatif:

Keadaan ini berlaku apabila punca sumber tidak disambung pada bahagian utam,a transistor ini. Pada ketika ini pincang balikan turut berlaku antara substrat dengan sumber. Keadaan ini juga turut menyebabkan arus tidak mengalir.

Gambarajah di bawah menerangkan tentang kedua dua keadaan Vds



Semasa Vgs dibekalkan

+ Kehadiran voltan get akan menghasilkan satu lapisan medan elektrik dan lapisan oksida.
+ Keadaan Vds untuk operasian in dibahagikan kepada 2:
   - POSITIF
   - NEGATIF

Positif:

Pada substrat terdapat ion-ion penerima yang terbentuk akibat kehadiran medan elektrik.
Electron jenis-n akan mengalir ke arah substrat apbiola nilai Vgs mencapai nilai voltan ambang , Vt. Keadaan ini akan mewujudkan lapisan penyonsangan sepanjang salir ke sumber. Lihat gambarajah di bawah

Lapisan ini berfungsi sebagai:
- Menyediakan laluan bagi pengaliran arrus
- Pertambahn nilai Vgs dengan setiap peertambahan lapisan ini

Negatif:

Pengoperasian transistor ketika ini adalah seperti rintangan kawalan voltan. Nilai Vds adalah tetap terhadap Id.




SEMASA NILAI Vds DITAMBAH

+ Elektron akan terhasil apabila nilai Vgs melebihi nilai voltan ambang
+ Hubungan antara nilai Vds dengan penipisan lapisan penyongsangan:

    - Perubahan nilai VDS(Kejatuhan voltan)

Pada ketika ini voltan pada hujung punca akan bernilai sifar dan voltan pada hujung salir akan bernilai sama seperti nilai Vds. Jadi nilai voltan bersih adalah nilai beza Vgs dan Vds. Nilai voltan yang kecil ini akan menyebabkan penipisan lapisan penyonsangan. Jika dilihat dari graf di bawah nilai volt melawan arus tidak kosistan kerana keadaan lapisan penyonsangan. Lihat gambarajah



Graf MOS I-V bagi transistor dalam keadaan ‘ohmic’




SEMASA NILAI Vds SEMAKIN BESAR

- Keadaan ketika nilai Vds semakin besaar.
- Kesan keadaan jepitan.

Apabila nilai Vds semakin besar.
Pada sempadan salir lapisan penyonsangan menjadi semakin nipis sehingga mencapai nilai sifar.
Ini berlaku kerana kejatuhan nilai voltan.

JEPITAN DAN KESANNYA

Jepitan adalah keadaan ketika nilai lapisan pada hujung salir adalah sifar. Ia juga dipanggil sebagai kawasan ketepuan. Kesan daripada keadaan ini adalah tiada pengaliran arus berlaku.namun begitu Id masih ada tetapi bernilai malar kerana electron masih wujud di sekitar lapisan penyongsangan .kesimpulannya pada ketika ini jepitan tidak memberi kesan kepada nilai Id. Lihat gambarajah





.: Menu :.

Home

MOSFET

EMOS

DMOS

Kesimpulan EMOS & DMOS

Operasian nMOS

Penutup

Bibliografi

About Us

Copyright © 2001 DDE3253 All Rights Reserved
Hosted by www.Geocities.ws

1