STRUKTUR FIZIKAL MOSFET
MOSFET adalah metal oxide semiconductor field effect transistor. Ia berbeza dengan JFET disebabkan ia tidak mempunyai struktur simpang p-n.
Get pada MOSFET disaluti dari saluran oleh lapisan silicon oksida. Teknologi ini sudah mula berkembang sejak tahun 1970-an.
Rajah 1 - Keratan rentas n-MOS
Rajah 1 menunjukkan transistor nMOS yang dibina daripada subtraktum jenis p yang mempunyai aras pengedopan yang sederhana.
Dua kawasan yang didopkan dengan pengedopan jenis n disebut sebagai sumber (source) dan salir (drain).
Satu lapisan oksida ditumbuhkan di kedua-dua kawasan ini dan diseluruh kawasan lain di atas silicon. Ketebalan lapisan oksida yang ditumbuhkan di atas kawasan saluran iaitu antara sumber dan salir adalah kritikal. Di atas lapisan ini, dimendapkan lapisan polisilikon yang berfungsi sebagai get kawalan.
Ciri-ciri Asas MOSFET
- Simetrik dwisisi
Sumber dan salir adalah saling tukar ciri elektrikalnya tanpa menyebabkan perubahan nilai gandaan, Av.
- Ekakutub
Satu pembawa samada electron atau lubang yang terlibat dalam pengaliran arus.
- Galangan masukan tinggi
Disebabkan kewujudan lapisan oksida nipis yang memisahkan laluan antara terminal get dengan kawasan lain
- Kawalan voltan
Galangan masukan tinggi, kuasa masukan rendah dan rebak keluar (fan out) yang baik
- Pemencilan sendiri
Menjimatkan ruang dengan cara salir dari satu peranti diasingkan dengan salir dari punca lain.
|
|
