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Sistemas de Escaneo
FOTODETECTOR.El fotodetector de este chip CIS es un fototransistor. A diferencia de un fotodiodo, el fototransistor amplifica la fotocorriente debido a la ganancia de emisor com£n ( hfe ) del transistor. La figura 15 muestra las caracter¡sticas de respuesta espectrales del fototransistor. Luz con unos 620 nm longitud de onda provee la respuesta m xima, con un ancho de banda de cerca de 250 nm (- 3 db). El chip CIS sigue un procesamiento de oblea totalmente compatible con el proceso de polisilicio de metal de los CMOS. En la regi¢n de fototransistor, la regi¢n de base extr¡nseca est formado con una implantaci¢n P+ fuente / drenador. La regi¢n de emisor N+ est formado al mismo tiempo con pasos de implantes del MOS N+ fuente/drenador. Cada fotoelemento del arreglo del chip est aislado por un tope de canal (N+) excepto el primero y £ltimo fotoelemento del chip. La regi¢n del sensor-p est formado con una doble implantaci¢n b++ con una alta energ¡a tal que una juntura p-n est formado cerca de 0.85 micr¢metros. El primero y £ltimo fotoelemento generalmente tiene menos sensibilidad de luz debido a un efecto de borde, as¡ est n dise¤ados para tener 10% mas rendimiento comparadas con otras reas de fotoelementos. Debido a la ganancia alta suministrada por el fototransistor, la carga almacenada en el condensador de almacenamiento asociado a cada transistor puede ser descargado r pidamente cuando el interruptor fototransistor est encendido. Esto permite que el m¢dulo opere en una frecuencia de reloj tan alta como 2 MHZ. |
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