In dieser Arbeit wird die Verwendbarkeit des anorganischen ResistsystemsAg2S:GeSx für die Sub-Mikrometerlithographieuntersucht. Speziell die Anwendung zur Herstellung von Zonenplatten fürdie Röntgenmikroskopie stand im Mittelpunkt. Es werden Vergleichezum in der Literatur referierten Ag2Se:Ge(1-x)Sex-Resistsystemgezogen. Es werden Kontrast- und Empfindlichkeitsbestimmungen fürBestrahlungen im optischen, ultra-violetten und weichen Röntgenbereich,wie auch für die Bestrahlung mit Elektronen unternommen. Mittels UV-Belichtungenund Elektronenstrahlbelichtungen wurden Auflösungstests unternommen.Die einzelnen Prozeßschritte werden untersucht und Standards eingeführt.Es wird gezeigt, daß es sich beim Ag2S:GeSx-Resistsystemum ein mäßig empfindliches, sehr kontrastreiches, partiell sehrstabiles System handelt. Es werden Schichten untersucht, die wesentlichdünner als 100 nm sind. Es wurden 18 nm Strukturen mittels Elektronenstrahllithographiein den Resist übertragen. 55 nm breite Stege und Lücken konntenin Germanium mit einem Zweischichtsystem übertragen werden. Beim Ag2S:GeSx-Resistsystemhandelt es sich um ein neu entwickeltes Resistsystem für die Nanometerlithographie.Die vorgestellten Prozeßschritte zeichnen sich durch ihre geringeToxizität aus.