| Quando aplicamos uma tens�o positiva no �nodo (lado esquerdo representado pelo ITO, ��xido de estanho e �ndio�) buracos do ITO v�o se acumular na interface com o pol�mero (neste exemplo, o PPV, poli(p-fenileno vinileno)) e podem ser injetados no PPV se conseguirem vencer a barreira energ�tica ?Eh. Do lado direito, el�trons do c�todo v�o se acumular na interface com o PPV e podem ser injetados no pol�mero se conseguirem vencer a barreira energ�tica ?Ee. As alturas destas barreiras s�o definidas pela fun��o trabalho do metal utilizado e pela localiza��o energ�tica do HOMO e do LUMO do material org�nico. Assim, se aplicarmos uma diferen�a de potencial (V) a partir de V = 0 e formos aumentando o valor de V, iremos observar que a partir de uma certa voltagem (voltagem de opera��o) ocorre um grande aumento da corrente (vide figura 2). Dizemos, neste caso que o dispositivo est� operando em modo direto. Se invertermos a polaridade, aplicando tens�o positiva no c�todo vemos que a barreira energ�tica tanto para a inje��o de el�trons pelo �nodo (Eg - ?Eh, onde Eg � a energia do gap) quando de buracos pelo c�todo (Eg-?Ee) � muito alta. Portanto, nesse modo de opera��o (modo indireto) o dispositivo n�o conduz [1]. |
