BF245A - BF245B - BF245C

Transistor ad effetto di campo a canale N

Il transistor BF245 è comunemente usato in campo audio per le sue eccellenti caratteristiche. E’ selezionato e venduto in tre versioni indicate dal suffisso A, B o C che si differenziano per la corrente di drain (IDSS) quando gate e source sono allo stesso potenziale (VGS=0).

Per l’utilizzo previsto nel preamplificatore occorre effettuare un’ulteriore selezione utilizzando il circuito mostrato in figura F1. Dato il basso costo di questo componente è possibile acquistarne circa 20 pezzi e poi selezionare i quattro più simili possibilmente con una IDSS > 12 mA. Le coppie di FET utilizzati in ogni canale dovranno differire per questa caratteristica di non più del 2% (circa 0.3 mA)

La figura F2 mostra la zona di lavoro del FET con segnale in ingresso del pre di 2 V_RMS. In queste condizioni si può approssimativamente valutare la distorsione di seconda armonica tipica del semiconduttore senza controreazione locale in circa il 2.7 %. Avendo poi utilizzato la configurazione differenziale questa distorsione è automaticamente ridotta fino ad annullarsi nel caso che i due rami del differenziale siano identici, da qui deriva la necessità di una selezione dei FET utilizzati ed eventualmente anche degli altri componenti (valore delle resistenze e guadagno h_FE del transistor a giunzione).

DATI CARATTERISTICI

SYMB	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNIT
VDS	drain-source voltage		-	-	±30	V
VGSoff	gate-source cut-off voltage	ID = 10 nA  VDS = 15 V	-0.25	-	-8	V
VGSO	gate-source volt.	open drain	-	-	-30	V
IDSS	drain current BF245A BF245B BF245C	VDS = 15 V VGS = 0	2 6 12	- - -	6.5 15 25	mA mA mA
Ptot	power dissipation	Tamb = 75 °C	-	-	300	mW
Yfs	forward transfer admittance	VDS=15V - VGS=0 f=1kHz – TA=25°C	3		6.5	mS
Crs	reverse transfer capacitance	VDS=20V - VGS=-1 V f=1MHz – TA=25°C		1.1		pF

 

 

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