TRANSİSTÖRLER GİRİŞ:
Diyod’lar bölümünde doğru polarma edilen kristal diyodun iletime
geçtikten sonra dış devre akımının devre yükü, kaynak tarafından kontrol
edildiğini ve bunlardan birinin değişmesi halinde dış devre akımının
değişeceği belirtilmişti. Devre yükü ve kaynak değişmediği zaman diyodun
dış devre akımı da değişmez.
Özel teknikle diyod yapısına üçüncü bir tabaka (P tipi veya N tipi)
ilave edilerek üç uçlu bir eleman elde edilir. Bu üçüncü uç sayesinde
elde edilen yeni elemanla dış devre akımı; devre yükü ve kaynak
değiştirilmeden değiştirilebilir. Bu elemana transistor adı verilir.
Transistörler yapım tekniğine göre;
a-Nokta temaslı transistörler,
b-Yüzey birleşimli transistörler olarak iki grupta toplanabilir.
Yüzey birleşmeli transistörler; transistor yapımında kullanılan madde,
maddelerin sayısı ve yapım tekniğine göre;
a-Bi-polar
transistörler,
b-Foto transistörler,
c-Unijaksın
transistörler (UJT),
d-Alan etkili transistörler (FET),
e-Metal oksit yarıiletken alan etkili transistörler (MOSFET) gibi
gruplanabilirler.
Konumuz gereği yukarıda sayılanlardan sadece birincinin; yani yüzey
birleşimli bi-polar transistorun yapım, çalışma prensibi,
karakteristikleri ve uygulama alanları anlatılacaktır.
Bi-polar
yüzey birleşimli transistörler P ve N maddelerinin sıralanışına göre
kitapta baştan sona kısaca "PNP transistor veya NPN transistor" olarak
isimlendirilecektir. Bi-polar transistor iki polarmalı transistor
demektir.
Transistörler; ilerleyen satırlarda açıklanacağı gibi elektronik
devrelerde sinyal yükseltme veya anahtarlama yapan yarıiletken devre
elemanlarıdır. Pasif elemanlarda ve diyodlarda olmayan sinyal yükseltme
özelliğine sahip oldukları için "aktif devre elemanı" diye
isimlendirilirler.
A-PNP
VE NPN TİPİ TRANSİSTÖRLER
1-PNP
VE NPN TİPİ TRANSİSTÖRLERİN YAPISI VE ÇALIŞMASI
a-PNP
VE NPN TİPİ TRANSİSTÖRLERİN YAPISI:
Bir bi-polar yüzey birleşmeli transistor iki tane P tipi ve bunların
arasında sandöviç şeklinde bir N tipi veya iki tane N tipi ve bunların
arasında sandöviç
şeklinde P tipi tabaka bulunan silisyum (veya
germanyum) kristalinden ibarettir. Bunlardan birincisine "PNP tipi
transistor", ikincisine "NPN tipi transistor" denir.
Şekil.'de PNP ve NPN tipi transistor yapıları, şekil.'de NPN tipi
transistor üretim aşamaları ve sonuç görülmektedir. Şekil.'de görüldüğü
gibi transistorun tipini (PNP veya NPN) belirtmek için emiter oku
kullanılır. Ok dışarı ise NPN tip, ok içeri ise PNP tip transistordur.
Yarıiletken sembollerindeki ok aynı zamanda yapıdaki N tipi maddeyi
gösterir.
Şekilde görüldüğü gibi; transistor ayaklarının isimleri emiter (Emitter-Yayıcı),
kollektör (Collector-Toplayıcı) ve beyz (Base-Taban) dir. Emiter oku
emiterdeki oyuk hareketi yönüne gösterir.
Akım yönü çizilirken kitapta baştan sona elektron akımı yönü dikkate
alınmıştır. Çünkü akım elektron hareketi ile gerçekleşmektedir. Oyuk
deyimi sadece elektron eksikliğini ifade etmek için kullanılır.
Bu
nedenle Şekil.' deki semboller üzerinde emiter akımı yönü emiter oku
aksinde gösterilmiştir.
NPN veya PNP transistor yapısında, emiter bölgesi yoğun katkılı, beyz
bölgesi emitere göre çok ince (1/100 gibi) ve az katkılı, kollektör
bölgesi emitere göre büyük yapılı ve normal katkılı gerçekleştirilir.
