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CURSO Eletronica Industrial  - Aula01
 Transistor como Chave

Transistor como chave

exercícios

Experiência01

 Transistor como Chave

Quando comparada com uma chave mecânica , uma chave eletrônica apresenta vantagens e desvantagens.

Vantagens: 
-Não apresenta desgaste
- Não apresenta arco voltaico
- Velocidade de comutação muito alta

Desvantagens:        
- Apresenta uma pequena queda de tensão pois tem uma pequena resistência ao conduzir
-Apresenta uma pequena corrente de fuga (nA) quando aberta
- Dissipa potência ao conduzir, necessitando de dissipador.

OBS: Os principais dispositivos semicondutores usados como chave são o transistor e os tiristores

A Fig 01 mostra os dois tipos de transistores com os seus símbolos .Um transistor pode operar em uma das seguintes regiões de operação
- Região ativa ou de amplificação
- Região de corte
-Região de saturação

Fig01:Tipos de transistores bipolares.

Quando operando na região ativa ou região de amplificação o transistor opera como amplificador, isto é , existe linearidade entre as suas correntes valendo a seguinte relação          IC = b.IB, isto é, a corrente de coletor é diretamente proporcional à corrente de base, se IB dobrar de valor IC também dobra. A constante de proporcionalidade b (beta) é um dos parâmetros do transistor muitas vezes  encontrado nos manuais como hFE, sendo que o seu valor não é o mesmo para um determinado tipo de transistor podendo variar numa razão de 1:5 para um mesmo tipo de transistor.
         
Na região de corte todas as correntes são aproximadamente nulas (nA para transistor de Sí e mA  para transistor de Ge) e o transistor comportará como uma chave aberta.
        
Para cortar um transistor basta fazer  VBE £0 para transistor de Sí ou VBE£-0,4V para transistor de Ge ( caso orientação em contrário neste livro usaremos sempre transistor de Sí ).A Fig02 mostra um transistor polarizado no corte e o modelo equivalente simplificado (chave aberta)

Fig02: Transistor no corte e circuito equivalente (chave aberta).

            Quando saturado o transistor simula um chave fechada. A corrente de coletor é constante  valendo a seguinte relação entre IC e IB em um transistor saturado :   IC £ b.IB. Para saturar um transistor a corrente de base deve ser maior  ou  pelo menos igual à um determinado valor especificado pelas curvas características de coletor. A Fig03  mostra um transistor saturado e o circuito equivalente ( chave fechada ).

Fig03: Transistor na saturação e circuito equivalente (chave fechada).

            Para compreenderemos melhor como um transistor passa do corte para a saturação ou vice-versa, consideremos a configuração emissor comum e as curvas características de coletor  mostradas na Fig04.

Fig04 : Curvas características na  configuração emissor comum

Inicialmente com VBB = 0 e como  IB = (VBB - VBE)/RB @ VBB/RB  o transistor estará cortado, isto é, IB = 0 e IC = 0 o ponto de operação estará localizado abaixo da reta de carga, ponto B, e nestas condições VCE = VCC o transistor se comportará como uma chave aberta, existirá apenas uma pequena corrente de fuga da ordem de nA,  caso o transistor seja de Sí. Aumentando VBB, aumentaremos  IB ( não esqueça IB = VBB/RB)  e o transistor entra na  região ativa, onde IC = b.IB. Se IB aumentar, IC aumenta na mesma proporção, porém existe um valor de IB para o qual um aumento adicional em IB não provocará aumento em IC, dizemos que o transistor saturou. No gráfico da Fig04 essa corrente é IB4. A saturação é portanto caracterizada por    IC £ b.IB, onde

IC =VCC/RC é a corrente de coletor na saturação (estamos admitindo que VCE = 0 ). Para saturar deve ser observada a condição    IB ³IC/b = VCC/b.

Como já foi dito, na prática, o valor de b pode variar muito de transistor para transistor, de um mínimo (  bmin) até um máximo (bMáx), para garantir a saturação do transistor devemos usar o  bmin.

Exemplo 1: Calcular RB e RC no circuito para que o transistor sature com IC = 10mA. Considerar transistor de Si com  bmin = 100 , VBesat = 0,7V e VCesat = 0.

Solução:  ICsat = 10mA =VCC/RC         logo       RC =12V/10mA =1K2
Para saturar  IB ³ ICsat / bmin = 10mA /100 = 0,1mA        
adotando  IB = 0,2mA       e    como
    RB = (VB - VBE)/IB = (5 – 0,7)/0,2mA = 21,5K  
 
adotamos o valor comercial imediatamente abaixo( aumenta mais ainda a garantia se saturação ) no caso  RB = 18K
Exemplo 2: Dimensionar RB para o transistor acionar o relê . Dados: Relê 12V/40mA     bmin =100 VBesat = 0,7V Solução:  ICsat = 40mA     para saturar o transistor 
 
IB
³ ICsat/ bmin = 40mA/100 = 0,4mA.

Por  outro lado  RB £(12 – 0,7)/0,4 = 11,3V/0,4mA = 28,25K   e para dar uma garantia adicional adotamos  RB = 15K.

Obs: a finalidade do diodo em paralelo com a bobina do diodo é eliminar a fcem gerada na bobina quando o transistor corta, desta forma protegendo o transistor de alta tensão no coletor

 

Experiência 01 - Transistor como Chave

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Abra o arquivo ExpEIaula01 e identifique o circuito da Fig05.

Fig05: Circuito para a experiência 01

Com  a chave ( space)  para cima , ative o circuito. Anote os valores de  IC, IB e VCE medidos pelos instrumentos.Qual o estado do transistor ( saturado/cortado/região ativa ). Justificar.

Mude a chave para baixo. Quais os novos valores  das correntes e tensão de coletor ?
Qual o estado do transistor ? Justificar.

Conclusões:

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