Аморфні плівки GeX (X=Te, Se, S) отримували дискретним випаровуванням шихти у вакуумі 10^-4 Па з наступною конденсацією молекулярних пучків на підкладки з сапфіру та кварцу при Т_п=239К. Зразки для дослідження фотоелектричних характеристик та параметрів формували в компланарній та сендвіч-структурній геометріях. Як контакти використовували токоплівкові електроди з Al, Cu, Ni, SnO₂. Товщина плівок а-GeX (X-халькоген) була 0.685нм (GeTe), 0.837нм (GeSe), 1.243нм (GeS). Частину зразків опромінювали гама-квантами від джерела Co60 (потужність пучка 20Гр/с) дозами 10²-10⁴Гр. Температура в каналі джерела не перевищувала 350К. Встановлено, що зміни в полевих люкс-амперних характеристиках, спектральних та температурних залежностях, кінетиці фотопровідності проявляються при досягненні дози опромінювання D>10⁴Гр. При цьому вони характеризуються тенденцією до наростання в послідовності GeS–GeSe–GeTe. Для всіх досліджуваних об’єктів споріднених систем виявлено: зміни в нахилах полевих та люкс-амперних характеристик, збільшення спектральної області фоточутливості (зміщення “червоної границі” в бік більших довжин хвиль фотонів); зменшення енергії активації та збільшення фотопровідності на 1.5-2 порядки для а-GeSe (GeS), і на 3-5 порядків в а-GeTe при Т<230К; в області Т<200К кінетика фотопровідності є характерною для механізму близнюкової рекомбінації. Запропоновано основні механізми радіаційно-індукованого дефектоутворення в конденсатах та розвинуто іонізаціно-рекомбінаційну модель, яка дозволяє в загальному пояснити спостережувані радіаційно-стимульовані особливості змін фотоелектричних властивостей досліджуваних об’єктів.