Методами вакуумного напилення (резистивним, дискретним) та ВЧ-магнетронного розпилення мішеней в аргоновій плазмі на різносортних підкладках при Т_п=300-500К отримано тонкоплівкові конденсати ScCu₄. Товщини плівок були 0,07-0,3 мкм. Хімічний склад плівок і вихідної шихти за даними "Camebax" не відрізнявся.. Структура плівок досліджувалась методами електронографії (ЭГ-100М) та рентгенівської дифрактометрії (ДРОН-04-07), температурні залежності питомої електропровідності та термо-е.р.с. зразків вимірювали в інтервалі 120-500К.
            Встановлено, що під час вакуумного напилення при Т_п=300-500К плівки SсCu₄ конденсуються в аморфному стані. Після магнетронного напилення при Т_п=300-600К структура плівок залишається невпорядкованою, однак в матрицях плівок простежується утворення  локальних мікроугрупувань атомів, відмінних за складом та будовою від основної аморфної матриці. Вивчено вплив умов відпалювання на кінетику переходу   з аморфного до кристалічного стану плівок ScCu₄, поміщених в евакуйовані кварцові ампули, та зокрема встановлено, що за звичай при Т_відп.=870K і тривалості 2 тижні простежується ревипаровування конденсату з підкладки.
            Виявлено, що електрофізичні властивості структурно невпорядкованих плівок ScCu₄ залежать від методу отримання та умов осадження і не залежать від типу підкладки. Плівки, отримані вакуумним напиленням, характеризуються значеннями R_300K і S_300K , близькими за величинами до масивних зразків і володіють металічним ходом електропровідності. При магнетронному напиленні отримуються зразки з значенням R_300K, більшим ніж у вакуумно осаджених конденсатах на 2-3 порядки. В області Т>250К вони володіють напівпровідниковим ходом провідності з термічною енергією активації 0.25 еВ, а при Т<250K відбувається перехід до стрибкового механізму провідності.