Práctica para el Segundo Examen

 

1. En el siguiente circuito se utiliza un diodo schottky, hallar la corriente en la resistencia de 1K:
   
   

R: 9.65 mA

2. Para el siguiente circuito, hallar RE e I_CQ para lograr una máxima excursión simétrica.
   
   

R: 38 ohms, 6.34 mA

3. Sea el siguiente circuito:
   
   

1. Encuentre el valor de RD para que IE1 = IE2.
   
   

R: 5.5 K

4. Sea el siguiente circuito:
   
   

1. Encuentre  los valores de I_CQ, R1, RE para lograr una máxima excursión simétrica, garantizando un buen rechazo del β.
   
   

R: 11.33 mA, 6882 ohms, 1147 ohms

5. Sea el siguiente circuito:
   
   

1. Si I_D = 1 mA, encuentre v_GS.
2. Encuentre v_DS
3. Si V_TN = 1.2 V, encuentre k.
   
   
   

R: 9.3 V, 0.32 mA/V²

6. Para cada uno de los siguientes circuitos encuentre la variación de I_DS si el MOSFET viene dado por la siguiente gráfica:

R: 5.33 - 8 mA, 8.12 - 9.16 mA

7. El siguiente circuito responde a la curva característica mostrada:
   
   

1. Encuentre los valores de RD, RS, RG1 y RG2. De forma que el valor máximo de Ids sea 2.2 mA y el transistor se mantenga en la zona lineal.
2. Encuentre el valor mínimo de Ids para los valores encontrados en el punto a.
   
   
   

(no tiene solución única)R: a. 1K, 10K, 1M, 1.3M; b. 1.62 mA

 

8. Para el siguiente circuito, utilizando máxima simetría complementaría, obtenga el valor de las resistencias para garantizar una corriente IcQ de 300 mA y que la potencia del transistor (VcexIcQ) se mantenga dentro de lo especificado conforme la tabla adjunta:

 

 
 

 

 
 

R:  Rc < 9.2 ohms, Rc + Re = 91 ohmsx

 

 

9. Basándose en la siguiente característica del JFET BF245B de la Philips Semiconductor,  encuentre los valores de las resistencias de la siguiente figura para garantizar una corriente IDS de 5 mA.

 

 
 R:  Rd + Rs < 5..44 K

 

10. Para el siguiente circuito, obtenga el valor de las resistencias RE, R1 y R2 para garantizar un voltaje máximo VL de 0.8 Vpico sin distorsión. Las características del transistor se muestran en la tabla adjunta:

 

 

 
 

R. RE < 13.5 K

 

11. Basándose en la siguiente figura: 
1. Encuentre los valores de las resistencias para garantizar una corriente IDS de aproximadamente 2 mA.
2.  Para su diseño de la parte a, obtenga la variación de IDS.

 

 

            R. Rd + Rs  = 12 K,  2.08 mA > Ids > 1.966 mA