Dynamic Random Access Memory ou RAM Dinâmica, é a memória que tem seu funcionamento baseado em capacitores, devido ao seu processo de fabricação. Por estar baseada em capacitores, a memória dinâmica tem a característica de perder os dados armazenados no decorrer do tempo. Para que os dados não sejam perdidos, as DRAMS necessitam de um circuito externo, onde o mesmo reescreve os dados em cidos periódicos, a esse circuito damos o nome de Circuito de Refresh ou Circuito de Refrescamento.

As memórias do tipo DRAM são utilizadas como memória principal do PC, pois , as mesmas permitem uma alta capacidade de armazenamento, ocupando pouco espaço físico e não gerando sobreaquecimento.

A memória do tipo DRAM, é formada por um circuito contendo células capacitivas que armazenam informações elétricas, conhecidas como bits. Os dados são armazenados dentro de uma DRAM com em uma matriz, sendo que o cruzamento de uma linha com uma coluna armazena um bit, 1 célula = 1 bit.

Portanto para armazenar ou acessar dados em uma DRAM, o controlador de memória utilizado na placa mãe, geralmente o Chipset, fornece os endereços para a memória (as coordenadas de linhas e de colunas).

A Memória Principal de um Microcomputador é constituída por um conjunto de módulos de memórias do tipo DRAM, conectadas à Placa mãe por meio de soquetes. Também conhecida como memória RAM ela é utilizada como memória para armazenamento temporário de dados e instruções, quando está utilizando um programa, como por exemplo, um editor de textos, os caracteres que estão sendo digitados e parte do editor, ficam carregados na memória e como a mesma tem um tempo de acesso bem menor que o HD, os dados são processados com muito mais rapidez, já que o processador acessa diretamente a memória e não o HD. Mas vamos supor que o seu PC não dispõe de bastante memória, o que poderá ocorrer ? Ao tentar executar um programa que necessite de muita memória o processador tentará executar tal programa e em alguns casos até irá conseguir, porém, o micro poderá travar no decorrer da utilização, pois o mesmo estará trabalhando em seu limite. Outro problema comum que pode ocorrer é a abertura de vários programas simultaneamente. Se você tem muita memória instalada, talvez isso não signifique um problema, mas caso contrário, o seu micro também poderá travar.

Uma boa configuração para um PC é a combinação de uma boa capacidade de memória instalada, 64MB por exemplo, e um HD de alta capacidade de armazenamento, 6.4GB. Essa configuração permite que o Sistema Operacional instalado crie um bom tamanho do que nòs chamamos de Memória Virtual, o que ocorre quando vários programas estiverem sendo executados na memória principal e a mesma estiver em seu limite. O processador armazenará os dados temporários na memória virtual, que por sinal é pouco conhecida por alguns usuários, mas muito utilizada pelo sistema, por isso é que nunca recomendamos que se utilize o HD em sua capacidade total, jà que o mesmo não irà dispor de um bom espaço para criação da memória virtual, fazendo assim, com que o processamento fique lento demais.

O módulo SIMM-30 é basicamente o módulo SIPP com um novo sistema de encaixe, parecido com o utilizado por placas no encaixe aos slots de expansão do micro. Esse sistema não permite que os módulos sejam encaixados invertidos e, como os seus terminais não são "pinos" como no módulo SIPP, não há problemas de terminal dobrado ou partido.

Esses módulos tem 30 terminais elétricos, dai o " 30" em seu nome. Assim como os módulos SIPP, são módulos de 8 bits e encontrados em versões de 256 KB, 1 MB e 4 MB. Ás vezes esses módulos são referidos como sendo de9 bits. lsso ocorre quando estamos especificando que o módulo tem um bit a mais de paridade. Saber se um módulo SIMM-30 tem ou não paridade é fácil: basta contar o número de circuitos integrados do módulo. Se for um número par de circuitos integrados, o módulo não tem paridade. Se for impar, tem.

Os módulos SIMM-72 são módulos de 32 bits, criado para os processadores 486, Pentium ou superiores.

Você poderá encontrar módulos SIMM-72 com ou sem paridade. Os módulos com paridade são normalmente chamados de módulos de "36 bits". Saber se um módulo tem ou não paridade e fácil: basta contar o número de circuitos integrados do módulo. Se o módulo apresenta circuitos nas duas faces, conte somente os circuitos de uma face.

Ou Modo Paginado Rápido. Esse tipo permite que os dados de uma mesma linha sejam lidos apenas mudando os endereços de colunas. Uma DRAM de 1MB, por exemplo, tem um arranjo de 1024 colunas por 1024 linhas, sendo que os 1024 bits de dados contidos numa mesma linha são considerados uma página, e cada ponto dessa matriz fornece o conteúdo (1 bit), e enquanto o endereçamento da página (linha) for mantido e dessa forma, os dados podem ser acessados rapidamente, dai o nome Modo Paginado Rápido. O tempo e ciclo desse modo operacional é de 40 ns (varredura das 1024 posições da linha), enquanto o tempo de atraso varia entre 60 e 70 ns. Tempo de atraso é o tempo que a memória leva para disponibilizar o dado armazenado para a saída, após o endereço ter sido fornecido pelo barramento .

Atualmente os módulos de memória FPM ou memória convencional já estão praticamente fora de mercado, pois estão sendo substituídos por memórias do tipo EDO e SDRAM que trazem tecnologias superiores. Mas contudo podemos ainda encontrar com alguma dificuldade, módulos nas seguintes capacidades: 4, 8, 16, 32, 64MB, composto por 72 vias e trabalham a 66MHz .

Esse tipo de memória é uma evolução da FPM, porque o dado selecionado permanece disponível na saída da memória , mesmo quando um novo endereço é fornecido à memória pelo barramento de endereços. Esta técnica reduz o tempo de ciclo da memória para 25ns (considerando uma memória com atraso de 60ns), resultando no incremento da performance da memória em torno de 10% em relação ás memórias DRAM e FPM.

A capacidade das memórias EDO não diferem muito do tipo FPM, portanto, ainda encontramos esses módulos nas mesmas capacidades e mesmo tamanho: 72 vias.

Os módulos DIMM têm 168 terminais e são de 64 bits. Atualmente utilizam circuitos de memória SDRAM. Os primeiros módulos DIMM eram alimentados com 5 V (os atuais são alimentados com 3,3 V)e tinham memórias com outras tecnologias, como FPM e EDO.

Essa memória é a mais moderna entre as DRAMS, e possui o tempo de atraso equivalente à memória estática (SRAM ou memória cache), que está na ordem de 1O a 8ns, uma redução de aproximadamente 6 vezes no tempo de atraso, que nas memórias EDO era de aproximadamente 60 ns. Um incremento considerável no desempenho da memória, e é claro do sistema como um todo. A grande diferença que existe entre o funcionamento da SDRAM e a DRAM é que na DRAM, para disponibilizar um dado armazenado em uma posição, em sua saída, é necessário fornecer o endereço e aguardar alguns ciclos de máquina até que o dado esteja disponível na saída. Esses ciclos de máquina de espera, considerados ciclos perdidos, ocorrem em virtude da falta de sincronismo entre o processador e a memória. Como é impossível evitar o tempo de atraso da memória, esse tempo pode ser compensado se os endereços que serão utilizados chegarem mais cedo à memória. E é justamente o que ocorre com as memórias SDRAMS. A SDRAM utiliza como base uma DRAM comum, entretanto um circuito externo faz o sincronismo entre as memórias DRAMS e o processador. As memórias recebem os endereços assim que o processador os coloca no barramento. Com esse sincronismo, o circuito externo responsável pelos endereços da memória SDRAM pode acompanhar as mudanças de endereços durante a execução das instruções, respondendo rapidamente às solicitações do processador.

Para se ter uma idéia do melhor desempenho da SDRAM, o processador tem disponível um dado solicitado após um ciclo de máquina, ao contrário das DRAMS sem sincronismo, que somente disponibilizam o dado após vários ciclos de máquina. Assim como a EDO, a SDRAM também permite que um endereço esteja sendo preparado, ao mesmo tempo em que outro está sendo lido em sua saída. A SDRAM é a primeira memória do tipo DRAM a suportar um barramento de sistema com um clock de operação de 1OOMHz, aliando-se a isto o tempo de atraso em torno de 1O ns.

Hoje encontramos memórias do tipo SDRAM com as seguintes características:

Capacidade de armazenamento de 16, 32, 64, 128, 256MB com tempo de acesso de 10 a 8 ns, trabalhando a uma tensão de 3,3V e 5V e clock de 66 100MHz e em módulos de 168 vias.

Novas tecnologias de memórias que tem surgido no mercado. Tome cuidado ao tentar adquirir produtos recém lançados, pois, como qualquer produto desenvolvido, suas primeiras versões sempre estarão sujeitas a problemas de adaptação ao que já existe no mercado.

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