اسم المقرر

رقم المقرر

الفصل الدراسي

القسم

عدد الوحدات

عدد الساعات الأسبوعية

نظري

عملي

مبادئ الإلكترونية

ET122

الثاني

عــام

4

3

3

خواص المواد الموصلة والعازلة وشبه الموصلة من حيث حركة الإلكترونات بداخلها وطريقة ترابط التيار بها

مفهوم الإلكترونات الحرة والفجوات(HOIES)في أشباه الموصلات وكيفية حركتها وتركيزها في بعض أشباه الموصلات مثل السلكون و الجرمانيوم

أشباه الموصلات غير النقية ـ الشوائب التي تعطي الإلكترونات (typeـn)والشوائب التي تعطي فجوات (holes)p-typeوكيفية انتقال التيار الكهربائي داخل أشباه الموصلات الغير نقية

نظرية الثنائي

كيفية تكوين الثنائي من شبه موصل وشوائب الجهد والمجال داخل الثنائي والمنطقة الخالية من حاملات التيار ـ الانحياز الأمامي والعكسي ـ العلاقة بين الجهد علي طرفي الثنائي والتيار المار فيه ـ الدائرة المكافئة للثنائي

دوائر الثنائي

دائرة الثنائي مع مقاومة ومصدر جهد ـ التقويم النصفي والكامل للموجات الكهربائية عن طريقة الثنائي دوائر التعليق والقطع ـ بعض الدوائر المنطقية باستعمال الثنائي

ثنائيات الأغراض الخاصة

ثنائي زنر واستعماله في تثبيت الجهد ـ الثنائي الباعث للضوء واستعماله في العرض ـ الثنائي المعتصى للضوء واستعماله في تحسين الضوء وتوليد الطاقة

التر انسستور

مكونات الترانسستور وفكرة عمله ـ تيارات الترانسستور الدارات المختلفة (CB-CE –cc)تحيز الترانسستور (transistor bias)

الترانسستورات التأثير المجالى (JFET)

نظرية العمل والتيارات الكهربائية داخله ودوائر التحيز (biasing)

الجزء العملي

اختيار الثنائي وإيجاد العلاقة بين الجهد والتيار

دوائر التقديم نصف الموجي والموجة الكاملة

استخدام الثنائي في تحديد شكل الإشارة

دوائر تحديد الجهد باستعمال الثنائي زنر

استعمال الثنائي المشع للضوء المقتص للضوء

دوائر الترنسستور (CB.CE.CC)وكيفية التحيز (biasing)

دوائر (mosfet ,Fet)