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Políticas del Curso.

• No se puede usar el celular en clase, si es necesario, salir del salón para tomar la llamada.

• La lista de asistencia se pasará a los 15 minutos de iniciar la clase.

• Las tareas y los reportes de laboratorio se tendrán que entregar en la fecha indicada.

• No se puede copiar ni voltear a ver a algún compañero cuando hay examen y no se permite formulario ó apuntes.

• Cualquier duda se puede consultar en el momento o preferentemente al final de cada clase.

 

Criterios de Evaluación.

• Dos exámenes parciales escritos para revisión de manejo conceptual teórico, definiciones y comprensión de procesos y un examen final. 40%

• Participación de actividades y presentación de informes. 15%

• Exámenes rápidos y tareas. 15%

• Trabajo final. 30%

 

 

Unidad I. Introducción a la Electrónica.

1.1 La importancia de la electrónica en la ingeniería eléctrica.

1.2 El pasado, el presente y el futuro de a electrónica.

1.3 La importancia del uso de simuladores computacionales.

 

Unidad II. Materiales y Diodos Semiconductores.

2.1 Materiales semiconductores.

2.1.1 conceptos de bandas de energía.

2.1.2 Los materiales semiconductores intrínsecos.

2.1.3 Los materiales Tipo P y Tipo N.

2.1.4 La corriente de difusión y la corriente de arrastre.

2.2. Diodos semiconductores.

2.2.1. La característica de corriente vs. voltaje de un diodo ideal y de un diodo real

2.2.2 La junta PN.

2.2.3 La ecuación de Shockley.

2.2.4. Los fenómenos Zener y de avalancha.

2.2.5. Los modelos de segmentos rectilíneos.

2.2.6. El análisis de señal pequeña de un diodo.

2.2.7. Las especificaciones del fabricante del diodo rectificador, del diodo Zener y modelación en Spice

2.3.Aplicaciones del diodo.

2.3.1. El rectificador de media onda y de onda completa.

2.3.2. Los filtros capacitivos.

2.3.3. Los circuitos recortadores y sujetadores.

2.3.4. El doblador de voltaje y el triplicador de voltaje.

2.3.5. El dé modulador de AM.

2.3.6. El regulador de voltaje con diodo Zener.

 

Unidad III. Fuentes de Poder.

3.1 Las características ideales y reales de una fuente de poder.

3.2 Las fuentes de poder de regulación lineal y de regulación por conmutaciones.

3.3 Las partes de una fuente de poder de regulación lineal.

3.4 Los reguladores lineales integrados.

3.5 El diseño de una fuente de poder de regulación lineal.

3.6 El análisis de temperatura.

 

Unidad IV. Transistores Bipolares y de Efecto de campo.

4.1 Los tipos de transistores y sus principios de operación.

4.2 Las zonas de operación y los modelos de señal grande.

4.3 El transistor bipolar como interruptor y amplificador.

4.4 Las especificaciones del fabricante del transistor bipolar.

4.5. Les parámetros del transistor bipolar para su modelación en Spice.

4.6. Circuitos de polarización para transistores bipolares.

4.6.1 El punto de operación, circuitos de polarización, lineas de carga, diseño del circuito de polarización, fuentes de corriente y cálculos de potencia.

4.7 Transistores e efecto de campo.

4.7.1. Las ventajas y as desventajas de los Fets, los tipos y principios de operación.

4.7.2. Las zonas de operación y los modelos de señal grande.

4.7.3. El FET como interruptor y como amplificador.

4.7.4. Las especificaciones del fabricante del transistor de efecto de campo.

4.7.5 Los parámetros del transistor de efecto de campo para su modelación en Spice.

4.8 Circuitos de polarización para transistores de efecto de campo.

4.8.1 EI circuito de auto polarización, polarización con divisor de voltaje y polarización con fuentes de corriente.

 

Unidad V. Otros Dispositivos Semiconductores.

5.1 Los diodos especiales y otros dispositivos de baja potencia.

5.2.Los Dispositivos de alta potencia.

5.3. Simulación de circuitos electrónicos en spice.

5.3.1. Los análisis “OP”, “.AC” y .TRAN” de Pspice.

 

 

Bibliografía recomendada.

Electrónica: Teoría y Circuitos
Boylestad R. & Nashelsky L.
Pretince Hail, México, 1997

Análisis, Simulación y Diseño
Malik, Nr. circuitos eIectrónicos
Pretince Hall, México, 1999

Circuitos Microelectrónicos
Sedra, 5, & Smith Kc.
Oxford, México, 2000.

Electronic Devices and Circuit Theory
Boylestad R. & Nashelsky L.
Pretince Hall, México, 1999

Física 1
GARTEHHAUS Solomon
Interamericana, México, 2001

 

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